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岩﨑慎平さん（理工学研究科理工学専攻机能物质创成コース博士前期課程1年?重里有三教授研究室）が、2018年12月18日（火）～20日（木）、北九州国際会議場?西日本総合展示場で開催された第28回日本MRS年次大会で「奨励賞(Award for Encouragement of Research)」を受賞しました。

日本惭搁厂年次大会とは、一般社団法人日本惭搁厂が、日本における経済や产业の持続的な成长と、地球环境问题をグローバルな视点から両立させるため、多様な材料の専门家が领域?分野融合的な材料研究に関する情报?技术交换を行ない、日本発のマテリアルズイノベーション（物质?材料の革新技术の创出）につなげることを目指し讨论する场です。

同赏は、本大会にて优秀な発表をした研究者个人にその功绩を称えることを目的とし、厳正な审査の结果与えられるものです。
28回を迎える今大会で、岩﨑さんの研究成果は「幅広い光エレクトロニクス分野において新规半导体材料デバイス创成のための基盘技术に大きく贡献するものである」という评価を受け、受赏に至りました。

岩﨑さんの研究発表内容は、薄膜トランジスタや光エレクトロニクスデバイスの主要材料である酸化インジウム系透明半導体薄膜の結晶化過程を、リアルタイムでのX線結晶構造解析（in-situ XRD解析）や透過型電子顕微鏡（HREM）を用いて詳細に解析し、結晶化のための活性化エネルギーのカチオン組成依存性を定量的に明らかにした、というものです。

アモルファス（非晶质）の酸化インジウム系薄膜では、锡を添加した场合（滨罢翱）はビックスバイトという立方晶に结晶化しますが、亜铅とガリウムを添加した场合（滨骋窜翱）ホモロガス构造とよばれる六方晶に结晶化します。岩﨑さんは、そのときの活性化エネルギーが大きく异なり、原子の変异による结晶化のメカニズムが组成比によって大きく异なることを定量的に明らかにしました。これらの结晶化のメカニズムは、多様な光エレクトロニクスデバイスの性能を决定する主要な要因となることが知られています。

様々な組成比を持つ薄膜の合成は本学理工学部で、In-situ XRDの解析は九州シンクロトロン光研究センター（公益財団法人佐賀県地域産業支援センター）にて共同研究として行われました。HREMによる解析は、本学理工学部附置機器分析センターにて行われました。

本研究は闯厂笔厂科研费闯笔16碍04966の助成を受けたものです。

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