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鬼塚日奈子さん（理工学研究科机能物质创成コース 博士前期課程2年 重里有三教授研究室）が、2014年12月10日(水)～12日(金)に開催された「第24回日本MRS年次大会」と同時開催された「第1回 E-MRS/MRS-Jジョイントシンポジウム 透明酸化物デバイスの新展開（Symposium XA “Materials Frontier for Transparent Advanced Electronics”* ）」（於：横浜市開港記念会館）における「口頭発表（使用言语：英語）」で「奨励賞」を受賞しました。
同赏は「日本惭搁厂（材料に関する横断的、学际的学术研究団体）年次大会」内の分野ごとに行われる各シンポジウムの口头発表もしくはポスター発表で、优秀な研究発表（表彰対象者の上位10％程度）を行った若手研究者におくられるものです。

鬼塚さんの口頭発表は「Temperature dependence of Phonon or Free Electron Contributions on Thermal Conductivity of VO2 Thin Films across Metal-Insulator Transition（二酸化バナジウム薄膜における金属－絶縁体相転移にともなう熱伝導へのフォノン（格子振動）と自由電子の寄与に関する研究」です。
鬼塚さんは、サーモクロミック** 素子や測温抵抗素子等の環境技術への応用が期待され、高温では低比抵抗で赤外線を反射し、低温では高比抵抗で赤外線を透過する「VO2（二酸化バナジウム???モット転移と呼ばれる金属-絶縁体転移*** を起こす物質）薄膜」の電気伝導率と熱伝導率に関する発表を行いました。これは、ピコ秒サーモリフレクタンス法**** を用いて、VO2の金属－絶縁体相転移をまたぐ温度範囲において熱伝導機構を定量的に解析し、相転移に伴う熱伝導率変化の機構を説明する定量的なモデルを構築したもので、鬼塚さんの修士課程での研究をまとめたものでもあります。
同シンポジウムでは、奨励赏の表彰対象となる研究発表が34件あり、3件（口头発表2件、ポスター発表1件）に同赏がおくられましたが、鬼塚さんの口头発表は、十分に考察された研究であり、発表段阶において研究内容が非常にわかりやすく整理されていたこと、かつ英语でのプレゼンテーションのわかりやすさ等が评価され、同赏に値すると认められました。

なお、鬼塚さんは、今回の発表までに、様々な试行错误を繰り返しながら结晶性が高い痴翱2薄膜の合成法を确立し、その痴翱2薄膜の热拡散を高精度で解析することに取り组んできました。また「第75回応用物理学会秋季学术讲演会」（2014年9月17～20日、北海道大学にて开催）と「第35回日本热物性シンポジウム」（11月22～24日、东工大大冈山キャンパスにて开催）でも同研究に関する口头発表を行って研究を进展させ、さらに今回の発表を行うにあたっては追加実験を行い、より考察を深めました。

関连情报