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磯崎勇児さんと須古彩香さん（両名とも理工学研究科机能物质创成コース博士前期課程1年?重里有三研究室所属）が、2014年9月25日（木）～27日（土）、八王子セミナーハウスで開催された「第38回結晶成長討論会」（主催：日本結晶成長学会）において、それぞれのポスター発表で「学生講演ポスター賞　優秀ポスター賞」を受賞しました。
同赏は、同讨论会でポスター発表を行った学生もしくは30歳以下の若手研究者の研究の中で、会场の活発な讨论を引き出し、复数の审査员による採点の结果、一定の基準以上の高得点を获得した研究に対しておくられるものです（原则として1件に授与）。

本讨论会では、19件の発表が行われましたが、今回は、特に优秀な研究発表が多かったため、最终的に2件に「最优秀ポスター赏」4件に「优秀ポスター赏」がおくられました。
磯崎さんの研究発表は「反応性スパッタ法で作製したGaNエピタキシャル膜の熱物性解析」* です。磯崎さんは、自身で研究を重ねて編み出したGaの反応性スパッタ法という成膜技術を使って、サファイヤの単結晶基板上への結晶性の高い窒化ガリウム（GaN）** の結晶成長（エピタキシャル成長***）に成功し、単結晶膜を作製しました。さらに、薄膜の熱物性値の高精度計測を行うためにピコ秒サーモリフレクタンス法を用いた熱物性解析を行い、熱拡散係数の結晶方位依存性を解析しました。

他方、須古さんの研究発表は「アモルファスIGZOの結晶化に関する研究」* です。
须古さんは、近年発明され、透明アモルファス酸化物半导体（性能が优れていることから最近、液晶ディスプレイや有机贰尝ディスプレイ等に応用されている半导体）として利用されている酸化インジウム?ガリウム?亜铅（补-滨骋窜翱）薄膜のホモロガス构造と呼ばれる层状の结晶成长过程を原子レベルで解明し、薄膜の电気特性や薄膜トランジスタ（罢贵罢）のデバイス特性に与える影响を明らかにしました。

磯崎さんの研究は、エネルギーの高効率化をはかるために必要不可欠なパワー半导体の実用化に际して、ポイントとなる単结晶膜をスパッタ法で成长させると同时に热拡散係数の结晶方位依存性を高精度で実测したこと、また须古さんの研究は、インジウム、ガリウム、亜铅という全く异なる性质をもつ元素が复雑に组み合わされた酸化物结晶の结晶成长过程を原子レベルで解明したことが评価され、同赏に値すると认められました。

ちなみに両名は、9月17日（水）～20日（土）に北海道大学で开催された「第75回応用物理学会秋季学术讲演会」に参加して讲演と讨论を行い、高い评価を得ましたが、さらに考察を深めることで今回の受赏にいたりました。